シリコン量子ビットの高温動作に成功 -大型冷却装置が不要に、センサーなど幅広い量子ビット応用へ-/理化学研究所、産業技術総合研究所(2019年1月24日)

シリコン量子ビットの高温動作に成功 -大型冷却装置が不要に、センサーなど幅広い量子ビット応用へ-/理化学研究所、産業技術総合研究所(2019年1月24日)

理化学研究所(理研)開拓研究本部石橋極微デバイス工学研究室の大野圭司専任研究員(創発物性科学研究センター量子効果デバイス研究チーム 専任研究員)、産業技術総合研究所(産総研)ナノエレクトロニクス研究部門ナノCMOS集積グループの森貴洋主任研究員らの共同研究グループは、シリコン量子ビット[1]を10K(約-263℃)の高温で動作させることに成功しました。

シリコン量子ビットの高温動作に成功 -大型冷却装置が不要に、センサーなど幅広い量子ビット応用へ-/理化学研究所、産業技術総合研究所(2019年1月24日)

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